供应：三菱IGBT模块 第六代NX系列

采用第6代IGBT硅片技术，损耗低二极管采用第6代LPT硅片技术，正向导通压降低硅片结温可高达175°C 硅片运行温度最高可达150°C 内部集成NTC测温电阻全系列共享同一封装平台有条件接受客户定制

产品型号        参数说明
CM35MXA-24S  CIB，35A/1200V
CM50MXA-24S  CIB，50A/1200V
CM75MXA-24S  CIB，75A/1200V
CM100MXA-24S  CIB，100A/1200V
CM75RX-24S    7单元，75A/1200V
CM100RX-24S  7单元，100A/1200V
CM150RX-24S  7单元，150A/1200V
CM75TX-24S   6单元，75A/1200V
CM100TX-24S  6单元，100A/1200V
CM150TX-24S  6单元，150A/1200V
CM150DX-24S  2单元，150A/1200V
CM200DX-24S  2单元，200A/1200V
CM300DX-24S  2单元，300A/1200V
CM450DX-24S  2单元，450A/1200V
CM600DXL-24S  2单元，600A/1200V
CM1000DXL-24S 2单元，1000A/1200V
CM50RX-34S   7单元，50A/1700V
CM75RX-34S  7单元，75A/1700V
CM50TX-34S  6单元，50A/1700V
CM75TX-34S  6单元，75A/1700V
CM100TX-34S  6单元，100A/1700V
CM150DX-34S  2单元，150A/1700V
CM200DX-34S  2单元，200A/1700V
CM300DX-34S  2单元，300A/1700V
CM400DXL-34S  2单元，400A/1700V
CM600DXL-34S  2单元，600A/1700V

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